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德国ifw optronics紫外光谱探测UVB的SiC紫外光电探测器JEAC 0.1B
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德国ifw optronics紫外光谱探测UVB的SiC紫外光电探测器JEAC 0.1B

UVB的紫外波段位于265-322nm.芯片尺寸0.1mm?.此外,可以根据应用选择选择芯片面积0.25mm?,1mm?,2mm?和5mm?

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加工定制:否品牌:德国ifw optronics型号:JEAC 0.1B
种类:光学辐射器件波段范围:紫外运转方式:稳频式
激励方式:电激励式工作物质:半导体输出形式:光敏器件型
速度:低速输出波长:265-322nm

德国ifw optronics紫外光谱探测UVB的SiC紫外光电探测器JEAC 0.1B详细介绍





 
2. 紫外光电二极管UVC产品特征:  

碳化硅(SiC)材料
芯片有效面积从0.06 mm?至7.6 mm?
光谱响应范围从225到287nm,峰值波长275 nm
芯片稳定性高(通过德国PTB认证)
符合DVGW W 294-3:2006和 OENORM M5873标准
多种封装方式:TO-18,TO5
 
3. 碳化硅材料紫外光电二极管特点:
 
SiC可以承受高强度的辐射,并具有近乎***的可见光的光盲、暗电流低,响应速度快和噪音低的特性。这使得SiC成为制备可见光光盲紫外探测器的使用材料。SiC探测器可以在温度高达170°C (338°F)的环境下长期工作。信号(响应度)的温度系数也很低,<0,1%/K。由于噪音低(fA级的暗电流) ,所以能够有效地检测 到极低的紫外辐射强度。请注意这个器件需要配置相应的放大器(参考响应的典型电路)。
 

技术参数:

芯片面积

0.1 mm2

峰值波长的典型响应度Smax

0.14A/W

光谱响应的波长(λmax)

300nm

波长范围(S=0.1*Smax

265-322nm

暗电流(1V反向偏压)Id

10fA

电容C

30pF

工作温度

-40~+125℃

储存温度

-40~+125℃

焊接温度(3S)

260℃

反向电压VRmax

10V

附注:

其他可选芯片面积

1 mm?;0.25 mm?;2 mm?;5 mm?;

其他可选波段

318-395nm; 265-322nm; 280-395 nm; 228-322 nm;   240-290 nm;300-400 nm

 

典型应用:

? 工业锅炉等火焰检测
? 水处理
? 臭氧和污染物监测
? 太阳光中的紫外线强度检测
? 紫外线灯管的紫外线强度检测



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